目前，隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展，工藝技術(shù)節(jié)點進入 28 納米、14 納米等更先進等級，隨著工藝流程的延長且越趨復(fù)雜，每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性；清洗設(shè)備及工藝也必須推陳出新，使用新的物理和化學(xué)原理，在滿足使用者的工藝需求條件下，兼顧降低晶圓清洗成本和環(huán)境保護。

國產(chǎn)濕法工藝設(shè)備所部署的技術(shù)路線：

半導(dǎo)體清洗設(shè)備，國產(chǎn)設(shè)備步入高速成長期

槽式設(shè)備（槽數(shù)量按需配置）及單片機設(shè)備（8~12 反應(yīng)腔）均可以提供 8~12 寸晶圓制造的濕法工藝設(shè)備。該類設(shè)備可以應(yīng)用在先進工藝上，主要為存儲（DRAM，3D Flash）、先進邏輯產(chǎn)品以及一些特殊工藝上，例如薄片工藝、化合物半導(dǎo)體、金屬剝離制程等。

在技術(shù)儲備上，國產(chǎn)品牌將持續(xù)投入資源開發(fā)符合高階工藝應(yīng)用的設(shè)備（如多反應(yīng)腔、18 腔等）。

國產(chǎn)品牌的濕法工藝設(shè)備的子系統(tǒng)包含藥液循環(huán)系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、傳送系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、傳感控制系統(tǒng)、氣體流場設(shè)計、反應(yīng)藥液回收環(huán)設(shè)計等。

此外，泛半導(dǎo)體工藝伴隨許多種特殊制程，會使用到大量超高純（ppt 級別）的干濕化學(xué)品，這是完成工藝成果的重要介質(zhì)，其特點是昂貴并伴隨排放。

在集成電路領(lǐng)域，高純工藝系統(tǒng)主要包括高純特氣系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)、高純化學(xué)品系統(tǒng)、研磨液供應(yīng)及回收系統(tǒng)、前驅(qū)體工藝介質(zhì)系統(tǒng)等。

其中，各類高純氣體系統(tǒng)主要服務(wù)于幾大干法工藝設(shè)備，各類高純化學(xué)品主要服務(wù)于濕法工藝設(shè)備。

國產(chǎn)品牌在濕法工藝往深度走的同時，在減排和工藝數(shù)字化領(lǐng)域也投入研發(fā)，有具體的產(chǎn)品和服務(wù)的部署，該領(lǐng)域的投入兼具經(jīng)濟效益和社會效益。高純工藝系統(tǒng)的核心是系統(tǒng)設(shè)計，系統(tǒng)由專用設(shè)備、偵測傳感系統(tǒng)、自控及軟件系統(tǒng)、管閥件等組成；系統(tǒng)的前端連接高純介質(zhì)儲存裝置，系統(tǒng)的終端連接客戶自購的工藝生產(chǎn)設(shè)備。

半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機設(shè)備的核心，普遍應(yīng)用于計算機、消費類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域，半導(dǎo)體主要由四個部分組成：集成電路、光電器件、分立器件和傳感器，其中集成電路在總銷售額占比高達80%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心領(lǐng)域。其中通常以芯片設(shè)計、制造和封裝測試為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈三大環(huán)節(jié)，設(shè)備材料與制造和封裝測試聯(lián)系最為緊密，對應(yīng)分為前道設(shè)備和后道設(shè)備，晶圓材料和封裝材料。

隨著國家扶持力度的不斷加大，制造企業(yè)與國產(chǎn)設(shè)備廠商的合作意愿較強，國產(chǎn)化進度明顯加快，市占率不斷提升，有望成為未來的優(yōu)質(zhì)賽道。

半導(dǎo)體設(shè)備資本投入大，人才缺乏，行業(yè)壁壘較高，能獲得優(yōu)勢資源的各細分領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，國產(chǎn)替代的速度預(yù)計將高于靠后企業(yè)。